EDXRF熒光光譜儀的探測器大部分是半導體探測器，高能量分辨率、寬線性范圍、快響應時間、高穩(wěn)定性和長壽命等特點使其在能量探測領域占據(jù)了絕對的主導地位。

       發(fā)展至今，半導體探測器的類型主要有Si(Li)探測器Ge(Li)探測器、高純Ge( HPGe)探測器、溫差電制冷Si -PIN探測器、Si 漂移( SDD)探測器、Cd(Zn)Te探測器、超導隧道結(jié)探測器(STJ)、超導躍變微熱量感應器(TES )等。

VIAMP-SDD探測器2

       常規(guī)Si(Li)探測器和Ge(Li)探測器出現(xiàn)最早，工作前必須用液氮制冷，因而限制了其使用范圍,通常用于1 ~40 keV低能量范圍內(nèi)的射線探測;溫差電制冷型Si(Li)探測器需致冷至-90 °C ,能量分辨率可達158 eV@ Mn- Ka,但其對計數(shù)率的線性影響范圍較小。

       高純Ge探測器能夠承受一定程度的溫升，因此多已取代溫升后會損壞的Ge(Li)探測器，常用于40keV以上能量的X射線探測。溫差電制冷Si-PIN探測器不存在Li漂移問題，只需用溫差電制冷器冷卻到- 20°C ,能量分辨率達145 eV@5.9 keV ，最大計數(shù)率低于30 keps,適合探測1.5~30keV的X射線。

       SDD探測器基于側(cè)向耗盡原理，于1983年被E.Gatti和P.Rehak提出，相比于Si(Li)探測器和Si- PIN探測器，SDD探測器的陽極面積極小且電子漂移時間與位置相關，因此最佳成型時間更短計數(shù)率更高，通常大于10* keps ;相比于Si(Li)探測器和Ge探測器，它只需要帕爾貼元件進行制冷(制冷溫差達50~120 C)，通常工作在-60~ -20C，特殊情況下甚至可工作在室溫，經(jīng)過不斷完善，其能量分辨率可達143 eV@5.9 keV，在許多情況下取代了Si(Li)探測器，成為測定中低能量X射線的首選Cd( Zzn)Te探測器采用高原子序數(shù)和高密度的化合物，體積小、本征探測效率高，在140 keV的γ射線下采用含10%Zn的15 nm的CdZuTe探測器，探測效率可接近100%，可以采用電致冷方式在室溫下工作，目前CdTe和CdZrTe探測器的能量分辨率分別可達3%@59.5 keV( T=10 C)、1.4% @59.5 keV(T=-37 C)，適合探測10~ 500keV寬能量范圍的高能光子10。

創(chuàng)想edx-6000熒光光譜儀

       STJ 探測器的分辨率極高，100個STJ像素陣列( 100 x 100μun2 )的平均分辨率可達14 eV@ ( - K (525eV)，理論檢出限低于1 eV",計數(shù)率可達80kcps，但需工作在500 mK或更低的溫度下。

       TES探測器通常有一個無能隙吸收裝置，利用吸收X射線后引起超導薄膜溫度及電阻下降進而引起電流變化來對光子進行計數(shù),能量分辨率更高，日前可達2 eV@1.5 keV，3.9 eV@5.9 keV T121 ,遠超過上述用于EDXRF的半導體探測器，并有望達0.5~1 eV，但恢復時間很長{約是STJ探測器恢復時間的1000倍)，因此犧牲了計數(shù)率(約500 cps)，且需工作在更低溫度下（約70 mK）。EDXRF臺式熒光光譜儀的探測器有上述這幾種。